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보도자료

과학기술정보통신부, 2024년 4월 대한민국 엔지니어상 수상자 선정

by 플래닛디 2024. 4. 8.
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        과학기술정보통신부
보도자료
보도시점 2024. 4. 8.() 12:00
(2024. 4. 9.() 조간)
배포 2024. 4. 8.() 09:00

 

'24 4월 ‘대한민국 엔지니어상’ 수상자 선정
- 삼성전자㈜ 한신희 수석연구원, 피케이밸브앤엔지니어링㈜ 박용대 수석연구원

 

  과학기술정보통신부(장관 이종호, 이하 ‘과기정통부’) 한국산업기술진흥협회(회장 구자균, 이하 ‘산기협’) 대한민국 엔지니어상 2024 4월 수상자 삼성전자㈜ 한신희 수석연구원 피케이밸브앤엔지니어링㈜ 박용대 수석연구원 선정했다고 밝혔다.

 

  대한민국 엔지니어상’은 산업현장의 기술혁신을 장려하고 기술자를 우대하는 풍토를 조성하기 위해 매월 대기업과 중견·중소기업 엔지니어를 각 1명씩 선정하여 과기정통부 장관상과 상금 500만원을 수여한다.

 

   한신희 삼성전자㈜ 수석연구원 비휘발성 메모리* 공정 분야 전문가로서 차세대 메모리로 주목받는 MRAM** 및 eMRAM*** 생산 및 에너지 효율 개선 등 반도체 산업 기술혁신 기여한 공로를 인정받았다.

   * 비휘발성 메모리: 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않으며 데이터 기록 시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 우수한 메모리

   ** MRAM(Magnetic Random Access Memory, 자기 저항 메모리): 자기 저항을 이용하여 만든 비휘발성 고체 메모리로 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가짐

   *** eMRAM(내장형 MRAM): 내장형 자기 저항 메모리

 

   한신희 수석연구원은 세계에서 가장 작은 28nm(나노미터) eMRAM 비트셀* 추가 공정을 개발하여 eMRAM 쓰기(write) 동작**, 쓰기 횟수를 108배, 에너지 효율을 70%까지 높였다. 일반적으로 메모리의 기본 동작 원리 중 쓰기 동작의 에너지 소모량이 더 높기 때문에 중요한 성과로 평가받고 있다. 

   * 비트셀: 메모리의 기본 단위로, bitcell로 표기함

   ** 쓰기(write) 동작: 메모리는 정보를 저장(write)하거나 저장된 정보를 읽기(read)를 반복하며 작동하는데, 이때 정보를 저장 및 기록하는 것

 

 

  한신희 수석연구원은 “앞으로도 자기저항 메모리 기술에 대한 끊임없는 연구개발로 차별화된 가치를 제공하여 국내 반도체 산업의 기술을 선도할 수 있도록 최선을 다하겠다.”라고 수상 소감을 밝혔다.

 

   박용대 피케이밸브앤엔지니어링㈜ 수석연구원 종합밸브 제조 분야 전문가로서 고부가가치 LNG 운반선용 초저온(영하 196) 버터플라이밸브* 개발·국산화 기여한 공로를 인정받았다.

   * 버터플라이밸브(butterfly valve): 밸브 관내 원판 중심선을 축으로 원판이 회전함에 따라 개폐가 이루어지는 밸브

 

   박용대 수석연구원이 전 세계에서 세 번째로 개발한 초저온 버터플라이밸브는 타 밸브에 비해 작고 가벼워 설치와 취급이 용이하고 제작비용이 저렴하다. 이러한 경쟁력을 바탕으로 2023년 기준 누적 약 1,700억 원의 수입대체 효과를 거둔 것으로 평가받고 있다.

 

   박용대 수석연구원은 “오랜 시간 축적해온 기술 역량과 경험을 바탕으로 혁신적인 기술을 꾸준히 개발할 것이며, 이를 통해 세계적인 수준의 기술경쟁력을 확보하고 국내 조선업의 발전에 노력을 아끼지 않겠다.”라고 수상 소감을 밝혔다.

 

붙임  1. 2024년 4월 대한민국 엔지니어상 수상자 이력

      2. 2024년 4월 대한민국 엔지니어상 수상자 연구개발 이야기

 

담당 부서 미래인재정책국 책임자    김형수 (044-202-4850)
  과학기술안전기반팀 담당자 사무관 남민우 (044-202-4851)
관련 기관 한국산업기술진흥협회 책임자    양미현 (02-3460-9190)
  시상운영팀 담당자    박민정 (02-3460-9193)


 
 
 
 
 
 
 

     
참고1    '24년 4월 대한민국 엔지니어상 수상자 이력

 

1 한 신 희

 □ 인적사항
  ㅇ 성명: 한신희(韓愼熙)
  ㅇ 소속: 삼성전자㈜
  ㅇ 직위: 수석연구원
 □ 주요 학력
  ㅇ 2007. 08   서울대학교 박사
 □ 주요 경력
  ㅇ 2007. 09 ~ 현재      삼성전자㈜

 

2 박 용 대

 □ 인적사항
 
 
  ㅇ 성명: 박용대(朴鎔大)
  ㅇ 소속: 피케이밸브앤엔지니어링㈜
  ㅇ 직위: 수석연구원
 □ 주요 학력
  ㅇ 2009. 02   부산대학교 석사
 □ 주요 경력
  ㅇ 2015. 04 ~ 현재     피케이밸브앤엔지니어링㈜

 

참고2    '24년 4월 대한민국 엔지니어상 수상자 연구개발 이야기

1 한 신 희

2024 4월 대한민국 엔지니어상 수상자 한신희의 연구개발 이야기
 
ㅇ 한신희 수석연구원은 차세대 메모리 반도체 분야에서 16년 이상 연구 개발 활동을 지속해 온 엔지니어이다. 삼성전자 입사 후 미래를 선도하는 차세대 개발에 공헌하여 실제 제품 양산까지 성공했으며, 세계 유수 학회에서 28건의 논문 및 학회 실적과 20여 개의 특허를 보유하고 있다.
 
ㅇ 그가 주력해 연구한 비휘발성 메모리인 MRAM(자기 저항 메모리)의 개발과 상용화는 파운드리* 분야에서 매우 중요한 성과이다. 기존의 대표적인 비휘발성 내장형 메모리의 경우 28nm(나노미터) 이하 미세 공정에서는 구현이 어려워 향후 대체 기술 개발이 필요하다. 현재 자율 주행, 전기 자동차, 소프트웨어 제어 고도화 등으로 자동차 시장에서 고성능 반도체와 비휘발성 메모리 수요가 증가하고 있어, 향후 자동차용 반도체의 중요 기술로 자리할 것이다.
 
   * 파운드리(foundry): 외부에서 제품 설계를 넘겨받아 반도체를 생산하는 일
 
 한신희 수석연구원은 이러한 시장 상황에서 28nm MRAM을 세계 최초로 양산화하는데 기여하고, 14nm MRAM 기술 개발을 이끌어 기술 차별화를 통해 리더십을 증명하였으며, 주요 자동차용 반도체 고객들로부터 삼성 파운드리 MRAM 기술의 우수성을 인정받았다.
 
 또한, 추가 공정개발을 통해 또한 추가 공정 개선을 통해 쓰기 동작 시, 쓰기 횟수를 108, 에너지 효율을 70%까지 높였다. 이를 국내 시스템반도체 회사와 제품화함으로써 중소기업과의 상생 협력을 지속하고 있으며, 국내 대학, 연구 기관에 MRAM 기술을 설계에 활용하고 특성을 검증할 수 있도록 지원하고 있다.
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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